基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管

摘要

本发明涉及一种半导体器件，尤其是一种基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管。按照本发明提供的技术方案，所述基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管，在所述肖特基二极管的截面上，包括半导体衬底以及设置于所述半导体衬底上的P型阱区，在所述P型阱区的一侧设置负极区结构，在所述P型阱区的另一侧设置正极区结构，且P型阱区与位于所述P型阱区上的栅结构区接触，在所述栅结构区上设置栅极金属，所述栅极金属与栅结构区欧姆接触。本发明有效地降低该半导体器件的开关损耗和提高其开关速度，还可以实现MOS栅沟道控制肖特基二极管的开关，进而提高肖特基二极管的电学性能。