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机译:1.2 kV碳化硅肖特基势垒二极管嵌入式MOSFET,延长结构和基于钛的单触点
Hitachi Ltd Res & Dev Grp Ctr Technol Innovat Elect Kokubunji Tokyo 1878601 Japan|Univ Tsukuba Grad Sch Pure & Appl Sci Tsukuba Ibaraki 3058573 Japan;
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Univ Tsukuba Grad Sch Pure & Appl Sci Tsukuba Ibaraki 3058573 Japan;
机译:使用1.2kV碳化硅MOSFET和肖特基二极管的25kW 700V电隔离双向DC-DC转换器的性能
机译:将肖特基势垒二极管嵌入3.3 kV和6.5 kV SiC MOSFET的影响
机译:温度和开关速率对碳化硅肖特基势垒二极管和MOSFET动态特性的影响
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机译:砷化镓MOSFET的制造和表征以及碳化硅肖特基二极管的热成像。
机译:D-T聚变中子检测中碳化硅肖特基二极管检测器的抗辐射性
机译:温度和开关速率对碳化硅肖特基势垒二极管和MOSFET动态特性的影响