一种EMI屏蔽的晶圆级芯片封装结构及封装方法

摘要

本发明公开一种EMI屏蔽的晶圆级芯片封装结构及封装方法，包括绝缘膜、芯片、再布线层和凸块下金属层；绝缘膜上表面与芯片的背面相贴；芯片正面上设有钝化层和多个压区，钝化层上方设有薄膜介质层，芯片正上方设有金属屏蔽层；再布线层的一端与芯片压区接触且这一端覆于薄膜介质层下方，再布线层的另一端与对应凸块下金属层底部键合；凸块下金属层的开孔位置位于对应芯片周围的绝缘膜封装区，凸块下金属层顶部设有焊球凸点。本发明通过再布线层将凸块下金属层开孔位置连接到非芯片上方的绝缘膜区域，制备凸块下金属层UBM的同时，在封装结构内形成电磁屏蔽结构，减小芯片受到封装结构内部器件以及外部器件的电磁波干扰的可能性。