公开/公告号CN112632889A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-09
原文格式PDF
申请/专利号CN202011501744.3
发明设计人 彭翔;
申请日2020-12-17
分类号G06F30/337(20200101);G06F30/3308(20200101);G06F30/398(20200101);H01L21/8234(20060101);
代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华;尹一凡
地址 201800 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室
入库时间 2023-06-19 10:32:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-14
授权
发明专利权授予
机译: 用于补偿基板不平坦度,确定图案形成装置不平坦度的影响以及确定热载荷对图案形成装置的影响的光刻设备和方法
机译: 具有不平坦栅极结构的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法
机译: 形成鳍式FET结构的方法,提供半导体衬底和鳍式FET晶体管的方法以及鳍式FET晶体管