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一种改善鳍式器件密集和孤立图形形貌线宽差异的方法

摘要

一种改善鳍式器件密集和孤立图形形貌线宽差异的方法,包括制作第一掩模板在第一孤立图形周围增加同等线宽的可分辨辅助图形,在第二孤立图形周围增加亚分辨率辅助图形,并通过OPC方法结合刻蚀工艺线宽微缩量要求修正使得密集图形、第一、第二孤立图形和可分辨辅助图形的光刻线宽达到各自工艺要求;在鳍式器件衬底上沉积一图形介质层和一刻蚀中间层;通过光刻和刻蚀工艺将第一掩模板图形转移到刻蚀中间层上;制作第二掩模板并进行二次曝光,露出刻蚀中间层上的密集图形、第一和第二孤立图形区域,遮蔽辅助图形区域;最后通过刻蚀中间层将露出的密集图形、第一和第二孤立图形转移到图形介质层上,以此来解决密集和孤立图形形貌和线宽差异的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN112614784A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202011495063.0

  • 发明设计人 彭翔;

    申请日2020-12-17

  • 分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/033(20060101);

  • 代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吴世华;尹一凡

  • 地址 201800 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室

  • 入库时间 2023-06-19 10:29:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-14

    授权

    发明专利权授予

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