公开/公告号CN112614784A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-06
原文格式PDF
申请/专利号CN202011495063.0
发明设计人 彭翔;
申请日2020-12-17
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/033(20060101);
代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华;尹一凡
地址 201800 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室
入库时间 2023-06-19 10:29:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-14
授权
发明专利权授予
机译: 可以改善电阻图形中线宽粗糙度的电子器件的形成方法
机译: 鳍式场效应晶体管的制造方法,鳍式场效应晶体管及包括鳍式场效应晶体管的器件
机译: 增强的应力保持鳍式FET器件以及制造增强的应力保持鳍式FET器件的方法