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公开/公告号CN112541312A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-23
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN202011459440.5
发明设计人 董刚;谈豪;朱思曈;朱樟明;杨银堂;
申请日2020-12-11
分类号G06F30/337(20200101);G06F30/39(20200101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人田文英;张问芬
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-06-19 10:21:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-06
授权
发明专利权授予
机译: 硅通孔电镀填充液及使用该填充液的硅通孔中抑制-SiC层挤出的方法
机译: 利用在线后端布线层中的金属接触焊盘填充硅通孔的方法来形成硅通孔的方法
机译:3-D集成中的硅芯同轴硅通孔的电学建模和表征
机译:用于低损耗RF硅中介层的硅芯同轴贯穿硅通孔
机译:Cu和SiO2填充同轴环形穿硅通孔引起的热应力和保留区研究
机译:使用矩阵方法分析硅同轴通孔沿同轴线的传播
机译:硅通孔底部填充点胶,用于3D模具/中介层堆叠
机译:通过优化溅射和电镀条件改善硅通孔的完全填充
机译:用于射频接地的BiCMOS嵌入式硅通孔的建模和优化
机译:一种用于对微波同轴传输线中的不连续性进行建模的方法