法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-02
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01K 7/02 专利申请号:2020110266825 申请公布日:20210112
发明专利申请公布后的驳回
机译: 晶圆边缘刻蚀装置,能够保护等离子体刻蚀气体中的卡盘并防止晶圆过度刻蚀
机译: 晶圆边缘检测装置,使用该晶圆边缘的方法以及晶圆晶圆化方法
机译: 半导体晶圆加工研磨,一种电子元件的组装方法,包括处理晶圆,直到晶圆比转子板薄,厚度比层厚为止,并在晶圆上排上凹口以保护晶圆