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一种等离子体刻蚀晶圆的温度分布检测装置

摘要

该发明公开了一种等离子体刻蚀晶圆的温度分布检测装置,涉及半导体技术领域,通过在晶圆表面设置若干温度传感器;检测对应点的温度值,进而得到所述晶圆的温度分布情况。避免对等离子体刻蚀工艺腔室做特殊处理,具有较高的实用性,同时,可以通过设置较多的监测点,来实现检测晶圆表面较多分布点的温度,采样率相对较高,因此可获得准确度较高的晶圆表面温度分布,保证了晶圆片加工的成品率。

著录项

  • 公开/公告号CN112212994A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202011026682.5

  • 申请日2020-09-25

  • 分类号G01K7/02(20210101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人陈一鑫

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 09:32:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-02

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01K 7/02 专利申请号:2020110266825 申请公布日:20210112

    发明专利申请公布后的驳回

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