环形硅陀螺仪结构及其制作工艺和硅陀螺仪传感器

摘要

本发明涉及陀螺仪技术领域，特别地涉及一种环形硅陀螺仪结构及其制作工艺和硅陀螺仪传感器。该环形硅陀螺仪结构中，将压电结构设置在硅环侧面，由于硅环侧面的面积大于顶面面积，因此，可使压电结构的覆盖面积更大，进而提高压电结构的驱动能力和检测能力。