BSI工艺深沟槽隔离制造方法

摘要

本发明公开了一种BSI工艺深沟槽隔离制造方法，包括以下步骤：刻蚀形成深沟槽隔离后淀积第一预设厚度的金属，将深沟槽隔离填充满并在深沟槽隔离表面及两侧形成覆盖层；采用研磨去除第二预设厚度的部分覆盖层；采用晶圆面内刻蚀速率能调节刻蚀工艺，刻蚀去除剩余的覆盖层，仅保留深沟槽隔离中的金属填充。本发明可改善晶圆面内均匀性，解决晶圆边缘窗口不足的问题；采用两步移除深沟槽隔离表面金属还可以调节深沟槽隔离顶部金属尺寸，降低天线效应，降低RTS。