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公开/公告号CN111969049A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-20
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院;
申请/专利号CN202010888909.0
发明设计人 章文通;朱旭晗;祖健;乔明;李肇基;张波;
申请日2020-08-28
分类号H01L29/40(20060101);H01L29/739(20060101);
代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人敖欢
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 08:59:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-23
授权
发明专利权授予
机译: 绝缘体上硅SOI技术中的横向绝缘栅双极晶体管LIGBT器件
机译: 采用绝缘体上硅(soi)技术的横向绝缘栅双极晶体管(ligbt)器件
机译: 绝缘硅(SOI)技术中的横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)器件
机译:提取增强型横向绝缘栅双极晶体管:一种超高速横向绝缘栅双极晶体管,优于横向双管扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有侧向掺杂层埋入变化的新型低截止损耗SOI横向绝缘栅双极晶体管
机译:SOI横向绝缘栅双极晶体管在重复静电放电应力下的触发电压失步现象
机译:增强SOI横向绝缘栅双极晶体管安全工作区的方法
机译:SOI设备低功耗,高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟
机译:基于SOI-玻璃晶圆级真空包装的横向压差共振微传感器
机译:具有横向掺杂层的掩埋变形的新的低关断损耗SOI横向绝缘栅双极晶体管
机译:NIsT特别出版物400-93的颜色补充:半导体测量技术:CmOs和横向双极性sOI测试库的设计和测试指南