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一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法

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本发明公开了一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法，具体包括如下步骤：101)初步刻蚀步骤、102)刻蚀深硅空腔步骤、103)加深刻蚀步骤、104)成型步骤；本发明提供了可以有力的提高结构精度，提高生产效率，减小工艺难度的一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法。

著录项

公开/公告号CN111689460A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-22

原文格式PDF
申请/专利权人浙江集迈科微电子有限公司;
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申请/专利号CN202010588340.6
发明设计人郭西;
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申请日2020-06-24
分类号B81C1/00(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构33283 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人董世博
地址 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
入库时间 2023-06-19 08:22:20

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法律状态
2023-07-11

授权

发明专利权授予

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1. 一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法 [P] . 中国专利： CN111099554A . 2020-05-05
2. 一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法 [P] . 中国专利： CN111689460A . 2020-09-22
3. Hollow structure treatment method for e.g. wall, involves injecting swelling agent in cavity of hollow structure by lower orifice, and creating depression in cavity from upper orifice so that product occupies determined space of cavity [P] . 法国专利： FR2885629A1 . 2006-11-17

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