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Fabrication of a microstructure incorporating a cavity under vacuum using a porous silicon zone in a silicon plate to form the wall of the cavity and absorb the residual gas

机译:使用硅板中的多孔硅区域在真空下结合空腔的微结构的制造,以形成空腔的壁并吸收残留气体

摘要

The fabrication of a microstructure incorporating a cavity under vacuum comprises the following stages: (a) producing, in the thickness of a first silicon plate, of a zone of porous silicon destined to totally or partially make up the wall of the cavity and able to absorb the residual gas of the cavity; and (b) assembling the first silicon plate with a second plate in a manner to produce the cavity. Independent claims are also included for: (a) a microstructure incorporating a cavity under vacuum; and (b) a sensor incorporating such a microstructure.
机译:在真空下结合有空腔的微结构的制造包括以下步骤:(a)在第一硅板的厚度上产生预定全部或部分构成空腔壁并能够形成的多孔硅区域。吸收腔体中的残留气体; (b)以产生空腔的方式将第一硅板与第二板组装在一起。还包括以下方面的独立权利要求:(a)在真空下结合有空腔的微结构; (b)包含这种微结构的传感器。

著录项

  • 公开/公告号FR2838423A1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-10-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 THALES;

    申请/专利号FR20020004628

  • 发明设计人 LEFORT PIERRE OLIVIER;THOMAS ISABELLE;

    申请日2002-04-12

  • 分类号B81C1/00;B81B7/00;G01C19/56;G01L9/00;G01L23/00;G01P15/097;H03H9/46;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 23:37:40

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