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一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法

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本发明公开了一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法，具体包括如下步骤：101)初步刻蚀步骤、102)刻蚀深硅空腔步骤、103)加深刻蚀步骤、104)成型步骤；本发明提供了可以有力的提高结构精度，提高生产效率，减小工艺难度的一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法。

著录项

公开/公告号CN111099554A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-05

原文格式PDF
申请/专利权人杭州臻镭微波技术有限公司;
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申请/专利号CN201911197944.1
发明设计人郭西;郁发新;王立平;张兵;周琪;李里;康宏毅;宋启河;徐思凯;冯光建;
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申请日2019-11-29
分类号
代理机构杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人董世博
地址 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢502室
入库时间 2023-12-17 07:47:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-05

发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):B81C1/00 申请公布日:20200505 申请日:20191129

发明专利申请公布后的撤回
2020-05-29

实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20191129

实质审查的生效
2020-05-05

公开

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1. 一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法 [P] . 中国专利： CN111099554A . 2020-05-05
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