一种深P-阱沟槽MOSFET及其制造方法

摘要

本发明是深P‑阱沟槽MOSFET及其制造方法，其结构是从下至上依次为背面金属、Si衬底、Si外延、P‑阱、N+和正面金属，N+位于P‑阱上方，N+外侧的正面金属与P‑阱之间为P+，P‑阱和N+中心沟槽内为底部和侧面包裹有栅氧的多晶栅，N+、栅氧和多晶栅顶部与正面金属之间为二氧化硅，所述的P‑阱底部纵向延伸至P‑阱和N+中心沟槽下方、横向包裹带有栅氧的多晶栅底部拐角。本发明的优点：对沟槽MOSFET的槽栅底部拐角形成了保护，在改善栅氧可靠性的基础上，提高了短路能力，其它参数无下降。通过在传统工艺流程中，将P‑阱掺杂推结到纵向比沟槽更深、横向包裹住槽栅拐角位置，实现了该结构，与传统工艺兼容易实现。