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Specifics of Silicon Deep Anisotropic Etching in Trench MOSFET Manufacturing Technology

机译：沟槽MOSFET制造技术中硅深各向异性蚀刻的细节

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A.E. Anurov; Yu.M. Zabotin; S.G. Podgorodetsky;
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年度 2015
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1. Anisotropic etching of deep trench for silicon monolithic microwave integrated circuit [J] . Lo T.C., Huang H.C. Electronics Letters . 1993,第25期

机译：硅单片微波集成电路深沟槽的各向异性刻蚀
2. THE BLACK SILICON METHOD - A UNIVERSAL METHOD FOR DETERMINING THE PARAMETER SETTING OF A FLUORINE-BASED REACTIVE ION ETCHER IN DEEP SILICON TRENCH ETCHING WITH PROFILE CONTROL [J] . Jansen H., Legtenberg R., Elwenspoek M., Journal of Micromechanics and Microengineering . 1995,第2期

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3. THE BLACK SILICON METHOD - A UNIVERSAL METHOD FOR DETERMINING THE PARAMETER SETTING OF A FLUORINE-BASED REACTIVE ION ETCHER IN DEEP SILICON TRENCH ETCHING WITH PROFILE CONTROL [J] . Jansen H., Legtenberg R., Elwenspoek M., Journal of Micromechanics and Microengineering . 1995,第2期

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4. DEEP TRENCH ETCHING FOR THROUGH-SILICON VIAS IN THREE-DIMENSIONAL INTEGRATION TECHNOLOGY [C] . G.Acosta, rnA.Ayala Toralesy, rnGatti, Semiconductor Technology(ISTC2008) . 2008

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5. Anisotropic fluorocarbon plasma etching of silicon/silicon germanide heterostructures and plasma etching-induced sidewall damage [D] . Ding, Ruhang 2008

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7. The black silicon method: a universal method for determining the parameter setting of a fluorine-based reactive ion etcher in deep silicon trench etching with profile control [O] . Jansen Henri, Boer Meint de, Legtenberg Rob, 1995

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8. Selective, deep Si trench etching with dimensional control [R] . Shul, R. J. , Willison, C. G. , Zhang, L. 1998

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