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深槽和阱邻近效应对MOSFET性能的影响

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开发测试结构是为了实现深槽和阱邻近效应在0.13μm间距工艺中对MOSFET影响的量化.本文分析了两类结构:深槽和阱边缘一起变化以及这些边缘单独变化.测量结果表明,深槽和阱邻近效应能够影响器件性能.

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来源
《中国集成电路》 |2015年第7期|35-36,74|共3页
作者
Hanyu Sheng; Tamara Bettinger; John Bates;
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作者单位

飞思卡尔半导体公司;

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