Gate oxide dielectric degradation pMOSFET NAND logic gate constant voltage stress oxide wear out;
机译:单pMOSFET介电质退化对NAND电路性能的影响
机译:NBTI相关的pMOSFET迁移率和阈值电压随时间的变化及其对电路性能的影响
机译:高介电常数电介质对基于双栅极的CMOS电路的速度性能和功耗的影响
机译:NOR数字对单pMOSFET介电质下降的响应的初步研究
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:具有ZrO2介质的高迁移率Ge pMOSFET:后退火的影响
机译:单pMOSFET介电性能下降对NAND电路性能的影响
机译:用于锑化物的高k电介质和低于350摄氏度的III-V pmOsFET的开发优于锗