一种提升晶体质量的LED多量子阱层生长方法

摘要

本申请公开了一种提升晶体质量的LED多量子阱层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括生长Si3N4层、生长SixAl(1‑x)N层、生长InGaN阱层、生长Mg渐变掺杂InAlN层和生长GaN垒层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长方法中存在的量子阱晶体质量不高问题，从而提高LED的发光效率，降低工作电压，减少波长漂移。