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阱垒生长温差对GaN基蓝色多量子阱LED的影响

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本文用MOCVD方法生长InGaN/GaN-MQW基LED结构,通过固定阱温,改变垒湿的方法研究了阱(InGaN)和垒(GaN)甚生长温差对MQW表面形貌和发光波长的影响.

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来源
《第六届中国国际半导体照明论坛（CHINASSL 2009)》|2009年|143-145|共3页
会议地点深圳
作者
曲爽; 李树强; 朱学亮; 李毓锋; 夏伟; 徐现刚;
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作者单位

中国照明学会;

中国照明电器协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体发光灯;
关键词
阱垒生长温差; GaN基; 蓝色多量子阱; LED照明; 发光波长; MOCVD;

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