Hong Kong University of Science and Technology (Hong Kong);
机译:利用由液体源前驱物形成的氮化镓种子层在硅衬底上生长的外延氮化镓薄膜
机译:通过使用简单的n型电极图案改善大功率氮化铟镓/氮化镓基垂直发光二极管的性能
机译:基于氮化镓的紫外线紫外线,蓝色和绿色发光二极管,具有浅周期孔图案的官能化
机译:MBE生长的氮化铟镓极性量子点的光学和微观结构表征
机译:在极性和非极性氮化镓衬底上生长的氮化铟镓/氮化镓量子阱。
机译:从封面开始:使用生长在硅(111)上的氮化铟镓进行固态照明的不寻常策略
机译:MOCVD种植的铟 - 氮化铟 - 氮化物多量子井蓝色激光二极管的特征
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。