首页> 外文OA文献 >Effects of quantum well growth temperature on the recombination efficiency of InGaN/GaN multiple quantum wells that emit in the green and blue spectral regions
【2h】

Effects of quantum well growth temperature on the recombination efficiency of InGaN/GaN multiple quantum wells that emit in the green and blue spectral regions

机译:量子阱生长温度对在绿色和蓝色光谱区域发射的InGaN / GaN多量子阱的复合效率的影响

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

This is the final version of the article. It first appeared from AIP via http://dx.doi.org/10.1063/1.4932200 All data created during this research are openly available from the University of Manchester eScholar archive at http://dx.doi.org/10.15127/1.269741
机译:这是本文的最终版本。它最初是通过AIP通过http://dx.doi.org/10.1063/1.4932200从AIP出现的。该研究过程中创建的所有数据均可从曼彻斯特大学eScholar大学档案库中公开获得,网址为http://dx.doi.org/10.15127/1.269741。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号