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米侃; 赛小锋; 侯洵;
中国科学院西安光学精密机械研究所;
砷化镓; 化合物半导体; HRMCMRD; 镓铝砷化合物;
机译:分析碲原子进入外延GaAs层的X射线衍射方法的局限性研究
机译:GaAs缓冲外延层上分子束外延生长的(BeTe / ZnSe)超晶格的高分辨率X射线衍射(HRXRD)和透射电子显微镜(TEM)研究
机译:高分辨率X射线衍射研究MnAs / GaAs(001)外延层中弹性域的横向周期性
机译:高分辨率x射线衍射研究在邻近GaAs(001)衬底上生长的GaSb外延层
机译:开发自适应X射线研究设施和用于计算断层扫描的直接粘接硅参考对象
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:使用高分辨率X射线衍射法对GaAsAlttaş上的GaAs / Gaalas杂扩大GaAs / Gaalas异反发的特征
机译:作为温度函数的Gaas衬底上CdTe外延层的X射线衍射特征
机译:从GaAs和GaAlAs外延晶体中消除硅金字塔
机译:一种基于GaAs-GaAlAs化合物的液相外延制备多层外延p-i-n结构的方法
机译:基于GaAs-Gaalas化合物获得P-I-N结构的方法通过液相外延
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