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李晓峰; 张景文; 高鸿楷; 侯洵;
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室;
AlGaAs/GaAs; X射线衍射; 应力; 光电阴极; 砷化镓; 铝镓砷化合物; 摇摆曲线半峰宽; 外延层; 半导体;
机译:GaAs缓冲外延层上分子束外延生长的(BeTe / ZnSe)超晶格的高分辨率X射线衍射(HRXRD)和透射电子显微镜(TEM)研究
机译:去除衬底对GaAs外延层和GaAs / AlGaAs垂直腔面发射激光器的光电性能的影响
机译:基于GaAs衬底上外延GaAs和AlGaAs层的光电转换器,具有发达的表面积
机译:基于GaAs / Algaas的GaAs / Algaas的研究使用Movpe生长的基于GaAs / Algaas的量子孔红外光电探测器结构
机译:GaAs透射光电阴极的分子束外延研究
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:具有优化设计的吸收层的,基于GaAs-AlGaAs的高速GaAs-AlGaAs组合式载流子光电二极管在830 nm波长处的带宽增强现象
机译:正常入射高性能p型应变层InGaas / alGaas和Gaas / alGaas量子阱红外光电探测器的研究
机译:利用AlGaAs的半绝缘层结合上覆的掩膜层制造GaAs器件的方法
机译:在Al.y.Ga.sub.y-1上作为透射模光电阴极形成GaAs的方法
机译:生长半绝缘GaAs层的液相外延工艺
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