实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片

摘要

本发明适用于半导体技术领域，提供了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片，该方法包括：将seal ring结构的两圆片进行键合，即将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和seal ring压点分别对应键合，形成封装结构的金属围墙形式；将所述两圆片中的任一圆片的所述信号连接压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，将另一圆片的所述接地孔压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，形成封装结构的屏蔽金属盖，最终在圆片上实现芯片级电磁屏蔽封装结构，抗干扰能力强。根据本实施例提供的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，可实现大批量生产制作，工艺成本低，结构重复性好，可靠性高。