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【6h】

基于GaAs工艺的L波段混频放大多功能芯片研究

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第一章 绪论

1.1 研究工作背景与意义

1.2 国内外研究动态

1.2.1 混频器国内外研究现状

1.2.2 低噪声放大器国内外研究现状

1.3.1 论文研究内容

1.3.2 章节安排

第二章 工艺介绍及单刀双掷开关的设计

2.1 GaAs pHEMT工艺介绍

2.2 单刀双掷开关的设计

2.2.1 pHEMT开关器件

2.2.2 开关主要技术指标

2.2.3 开关的设计仿真

2.3 本章小结

第三章 混频器的设计

3.1 混频器基本理论

3.1.1 混频器介绍及分类

3.1.2 无源双平衡混频器工作原理

3.2 混频器主要技术指标

3.2.1 变频增益或损耗

3.2.2 噪声系数

3.2.3 线性度

3.2.4 隔离度

3.2.5 本论文混频器设计指标

3.3 巴伦变换器的分析及设计

3.3.1 传统Marchand巴伦结构

3.3.2 改进的巴伦结构

3.3.3 巴伦变换器仿真结果

3.4 无源双平衡混频器的仿真结果

3.5 本章小结

第四章 放大器的设计

4.1 放大器主要性能指标

4.1.1 增益与增益平坦度

4.1.2 线性度

4.1.3 噪声系数

4.1.4 小信号S参数

4.1.5 稳定性

4.2 低噪声放大器的设计

4.2.1 器件选择与偏置电路设计

4.2.2 噪声理论及优化

4.2.3 宽带RC负反馈技术

4.2.4 稳定性与匹配网络的设计

4.2.5 放大器的设计仿真

4.3 驱动放大器的设计

4.3.1 器件选择与偏置电路设计

4.3.2 稳定性与匹配网络的设计

4.3.3 放大器的设计仿真

4.4 本章小结

第五章 多功能芯片完整电路设计

5.1.1 电路级联中的问题

5.1.2 解决措施

5.2 Chip1多功能芯片版图设计及仿真

5.2.1 仿真结果分析

5.2.2 仿真结果总结

5.3 Chip2多功能芯片版图设计及仿真

5.4 本章小结

第六章 全文总结与展望

6.1 全文总结

6.2 展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的成果

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著录项

  • 作者

    辛昭玉;

  • 作者单位

    电子科技大学;

  • 授予单位 电子科技大学;
  • 学科 电磁场与微波技术
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 延波;
  • 年度 2019
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类 半导体技术;
  • 关键词

    GaAs工艺; 波段; 混频; 放大;

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