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机译:使用0.2 / spl mu / m AlGaAs / InGaAs / GaAs拟态HEMT技术开发单片V波段变频器芯片组
机译:采用0.1 / spl mu / m拟态AlGaAs / InGaAs / GaAs HEMT技术的单片23.5至94 GHz频率四倍频器
机译:30 GHz静态分频器,采用0.2 / spl mu / m AlGaAs / GaAs / AlGaAs HEMT技术
机译:使用具有0.2 / spl mu / m AlGaAs / GaAs HEMT的全平衡窄带再生分频器,可实现40和20 Gbit / s的单片集成时钟恢复
机译:采用0.2μmInGaAs / GaAs伪晶HEMT技术的单片V波段上变频器
机译:高功率拟晶AlGaAs / InGaAs高电子迁移率晶体管的材料,物理学,器件物理学和技术。
机译:共面波导技术中的67 GHz 0.3 um AlGaAs / GaAs / AlGaAs HEMT单片放大器的设计和表征
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率