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一种3D集成电路硅通孔故障检测系统及检测方法

摘要

本发明公开的一种3D集成电路故障测试系统及其测试诊断方法,包括电容,电容的上极板连接有由多个支路并联组成的第一开关,电容的上极板还连接第二开关和源极跟随器;电容的下极板接地。通过电容的上极板TSV施加电压信号,源极跟随器读出电压信号,根据电压信号降低的大小来判断TSV是否正常。本发明能够分析TSV电学特性,实现对TSV开路和短路缺陷的测试、定位和分级。电路结构简单,无需外接参考电压及测试电路。本发明采用同一套检测电路,通过测试模式设置,可完成对TSV的短路、开路故障检测,尤其是可以实现对于高密度TSV阵列的在线测试和诊断。

著录项

  • 公开/公告号CN109001614A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安理工大学;

    申请/专利号CN201810690846.0

  • 发明设计人 戴力;余宁梅;

    申请日2018-06-28

  • 分类号G01R31/28(20060101);G01R31/02(20060101);

  • 代理机构61214 西安弘理专利事务所;

  • 代理人张皎

  • 地址 710048 陕西省西安市金花南路5号

  • 入库时间 2023-06-19 07:41:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/28 申请日:20180628

    实质审查的生效

  • 2018-12-14

    公开

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