制造晶圆级封装的MEMS组件的方法和MEMS组件

摘要

一种制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的第一主表面区域上具有带有凹槽的布线层堆叠，其中在半导体衬底的第一主表面区域处，MEMS器件裸露地布置在布线层堆叠的凹槽中，并且其中在布线层堆叠的金属化区域处布置有突出的过孔元件；将在中间阶段中固化的b阶材料层施加到在布线层堆叠上，从而使在布线层堆叠中的凹槽被由b阶材料层覆盖，并且还使该垂直突出的过孔元件被加入到b阶材料层中；固化b阶材料层，以获得经固化的b阶材料层；使经固化的b阶材料层薄化，以裸露过孔元件的端表面区域；并且将RDL结构(RDL＝再分布层)施加到经薄化和固化的b阶材料层上，以便经由过孔元件获得布线层堆叠与RDL结构之间的电连接。