赝配高电子迁移率晶体管的外延材料及赝配高电子迁移率晶体管

摘要

本发明公开了一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，选用半绝缘GaAs作为衬底层，在所述衬底层上依次逐层生长GaAs缓冲层、AlGaAs/GaAs超晶格层、未掺杂的AlGaAs层、第一掺杂层、第一AlGaAs隔离层、InGaAs沟道层、第二AlGaAs隔离层、第二掺杂层、AlGaAs势垒层、掺杂帽层，InGaAs沟道层包括依次逐层生长的第一InGaAs沟道层、第二InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层，第一InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层中的In组分均小于第二InGaAs沟道层中的In组分。本发明能够减少电子迁移率受界面散射的影响和降低中间InGaAs沟道层中由于晶格失配而产生晶体缺陷的风险。本发明还提供了一种具有上述外延材料的赝配高电子迁移率晶体管。