机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:等离子体辅助分子束外延生长具有均质晶格匹配InAlN势垒的GaN基高电子迁移率晶体管结构
机译:等离子体辅助分子束外延技术在100 mm直径Si(111)上演示AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:等离子体辅助分子束外延,高温N极GaN中间层生长的ZnO膜的极性控制
机译:分子束外延生长对金属极性III族氮化物高电子迁移率晶体管结构的优化生长。
机译:等离子体辅助分子束外延通过液滴外延对Si(111)上的GaN纳米点进行表征和密度控制
机译:通过等离子体辅助生长的发光N极(In,Ga)N / GaN量子阱 高温下的分子束外延