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公开/公告号CN108677165A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-19
原文格式PDF
申请/专利权人 滁州国凯电子科技有限公司;
申请/专利号CN201810523386.2
发明设计人 张洪国;郑委;雷曼;夏树胜;马军涛;
申请日2018-05-28
分类号C23C16/455(20060101);
代理机构32332 江苏斐多律师事务所;
代理人袁敏
地址 239000 安徽省滁州市世纪大道801号(昭阳工业园)10号厂房3层
入库时间 2023-06-19 06:49:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-13
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/455 申请日:20180528
实质审查的生效
2018-10-19
公开
机译: NMOS CVD ALD NMOS金属栅极材料的制造方法和设备,以及基于金属的前驱体的CVD和ALD工艺
机译: 通过提供不含载气的前驱体进行表面涂层的中低压等离子体方法
机译: 用于微结构组件的阻挡层创建过程涉及在等离子体反应器中准备组件,等离子体处理以及供应前驱物和载气
机译:单源前驱体方法合成Bi_2S_3纳米颗粒:一种新型的安培型过氧化氢生物传感器
机译:采用新型Ti前驱体的TiO2薄膜的高效PE-ALD工艺
机译:新型Ga前驱体异丙基二甲基镓Me 2 sub> GaO i sup>的Ga 2 sub> O 3 sub>薄膜的ALD和MOCVD Pr ? sup>
机译:使用液态前驱物的液体前驱体ALD方法,使用二硫化钨薄膜的生长方法,使用二硫化钨薄膜生长,使用钨的前驱物(3)
机译:通过大气压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)开发用于氧化锌薄膜生长的新型单源前驱体,用于微电子器件。
机译:钴前驱体对热解碳载钴聚吡咯为氧还原反应电催化剂的影响
机译:载气对氟化前驱体大气压PECVD的化学和物理效应
机译:具有经验式asCl3Ga2的新型砷化镓单源前驱体的制备。