液体前駆を用いた 液体前駆を用いた ALD法による二硫化タングステ薄膜成長 法による二硫化タングステ薄膜成長 法による二硫化タングステ薄膜成長 （３）

摘要

金属をM (M=Mo, W), カルコゲンをCh (Ch=S, Se, Te)とした時, 組成式MCh_2で表される層状物質である 6 族遷移金属ダイカルコゲナイドは, その多くがバンドギャップを持ち, 低消費電力FET 等の素子応用を目指した研究が幅広く行われている. それらの中で, 本研究では二硫化タングステン WS2の薄膜成長を, 比較的安全な液体前駆体を用いた原子層堆積(ALD)法により試みている. 前回に引き続き, 今回は成長基板による影響について報告する.