公开/公告号CN105390381B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201510688559.2
申请日2011-04-25
分类号H01L21/28(20060101);H01L21/285(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/8238(20060101);C23C16/06(20060101);C23C16/32(20060101);C23C16/42(20060101);C23C16/455(20060101);
代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国;赵静
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:23:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-21
授权
授权
2016-04-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 申请日:20110425
实质审查的生效
2016-04-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20110425
实质审查的生效
2016-03-09
公开
公开
2016-03-09
公开
公开
机译: 使用具有金属基前驱物的CVD和ALD工艺的NMOS金属栅极材料,制造方法和设备
机译: 使用具有金属基前驱物的CVD和ALD工艺的NMOS金属栅极材料,制造方法和设备
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