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公开/公告号CN108666359A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-16
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN201710196720.3
发明设计人 王茂俊;沈波;陶明;刘少飞;郝一龙;
申请日2017-03-29
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/786(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11360 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人苏爱华
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2023-06-19 06:47:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20170329
实质审查的生效
2018-10-16
公开
机译: 制造具有应变沟道层以提高电子和空穴迁移率以改善器件性能的晶片的方法
机译:对(In,Al,Ga)N背势垒进行工程设计,以实现高沟道电导率,从而在N极GaN高电子迁移率晶体管中实现极高的沟道厚度
机译:使用AlN / SiN作为钝化层和栅后凹槽沟道保护层,具有提高的沟道迁移率和动态性能的栅凹槽常关GaN MOSHEMT
机译:双层晶格匹配的AllnGaN势垒用于改善增强型AllnGaN / GaN异质结构场效应晶体管的沟道载流子限制的用途
机译:SOI衬底上的隧道势垒结MOSFET具有抑制的短沟道效应,可实现最终的器件结构
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:利用Al2O3势垒层提高SAW器件Al2O3 / Pt / ZnO / Al2O3薄膜电极的高温稳定性。
机译:具有不同InGaN背势垒层和通过MOCVD生长的GaN沟道厚度的Al0.25Ga0.75N / AIN / GaN异质结构中的电子传输性能
机译:新型碳化钽(TaC)衬底上低缺陷密度氮化镓(GaN)薄膜的生长,提高器件性能