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公开/公告号CN108447902A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201810051354.7
发明设计人 李聪;赵小龙;庄奕琪;闫志蕊;郭嘉敏;王萍;蒋智;
申请日2018-01-19
分类号
代理机构陕西电子工业专利中心;
代理人王品华
地址 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2023-06-19 06:16:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20180119
实质审查的生效
2018-08-24
公开
机译: 具有隧穿发射极连接端子的双极集成电路场效应晶体管
机译: 在半导体子结构上制造双极晶体管,或双极场效应晶体管或具有互补场效应晶体管的双极场效应晶体管的方法以及由该方法产生的器件
机译: 双极结型晶体管,其隧穿电流通过场效应晶体管的栅极作为基极电流
机译:双极隧穿场效应晶体管中谐振带间隧穿的自洽模型
机译:基于非对称双栅Ge / GaAs-异质结隧穿场效应晶体管的无电容器单晶体管动态随机存取存储器,具有n掺杂的升压层和漏极-下覆结构
机译:利用具有快速切换特性的隧穿场效应晶体管的双极特性的多重负差分电阻装置
机译:基于垂直隧穿的带间隔层漏极重叠的双栅隧道场效应晶体管的TCAD仿真
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:L型隧道场效应晶体管中使用叠栅抑制双极电流的研究
机译:基于p-i-n二极管的压缩应变SiGe带间隧穿模型校准及应变SiGe隧穿场效应晶体管的前景
机译:利用区域熔融再结晶制造结合功率双极和场效应晶体管的三维结构