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公开/公告号CN107919147A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-17
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201710883574.1
发明设计人 林惠镇;朴一汉;朴贤国;尹盛远;
申请日2017-09-26
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人倪斌
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 05:05:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-26
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C7/10 申请日:20170926
实质审查的生效
2018-04-17
公开
机译: 非易失性存储器件,其沟道增强方法,其编程方法以及包括该非易失性存储器件的存储系统
机译:使用Fowler-Nordheim编程和热孔擦除方法的70 nm氧化硅-氮化物-氧化硅-非易失性存储器件
机译:具有LDD结构的非易失性存储器件中擦除操作后的导通电流减小
机译:具有晶体管开关功能的2位非易失性存储器件,可实现Edge-FN隧穿操作
机译:新型P / sup +/-多晶硅栅氮化物俘获非易失性存储器件的软擦除和重新填充方法,具有出色的耐久性和保持性
机译:用于控制具有不确定参数的约束非线性系统的数学编程方法。
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:电极:具有皱纹表面的石墨烯氧化物电极,用于非易失性聚合物存储器件相容性(小方法7/2018)
机译:技术进展报告Ⅰ-高速计算机程序Ⅱ-ILLIaC II系统编程与操作Ⅲ-安装研究程序IV-数学方法第Ⅴ-IBm 7090-lUOlsYsTEmNpaRTⅥ-一般实验室信息