一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管及其制造方法，晶体管包括衬底，所述衬底上设有缓冲层，所述缓冲层上设有铟镓锌氧化物薄膜，所述铟镓锌氧化物薄膜上设有钝化层、源漏接触电极和栅介质层，所述栅介质层上设有栅电极。本发明采用了顶栅结构，减少了寄生电容，增强了等比缩小能力，降低了栅极的驱动电压，采用砷离子或者磷离子作为注入离子，并对注入离子后的源漏区进行退火处理，得到了低阻的N型重掺杂区，使得晶体管具有低接触电阻和热稳定性好的优点。本发明可以广泛应用于半导体领域。