一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法

摘要

本发明提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法，该高温应变传感器芯片包括SOI芯片基底，SOI芯片基底具有第一表面和第二表面，在SOI芯片基底上形成有压电薄膜，在压电薄膜之上形成有叉指换能器和反射栅，在叉指换能器和反射栅上形成有绝缘保护层，在压电薄膜和绝缘保护层上有通孔分别连接至底电极和叉指换能器，在绝缘保护层上的通孔处形成有信号引出盘；并且具有或不具有如下结构：在SOI芯片基底内从SOI芯片基底底面延伸至SOI隔离层形成有应变腔室，腔室在SOI芯片基底底面和SOI芯片基底侧壁均有开口。该高温应变传感器芯片结构简单、体积小、重量轻、精度高，可应用于航空航天、石油化工、核工业等高温环境下应变参数的测量。