外延ZnO压电薄膜的声表面波特性分析

摘要

采用RF平面磁控溅射技术在单晶Al<,2>O<,3>衬底上淀积了ZnO薄膜.研究了ZnO薄膜的结构特性及电学性能,XRD结果表明:在Al<,2>O<,3>衬底上沉积的ZnO薄膜是高度C轴取向的.电阻率测试结果表明:在纯氧中高温退火,薄膜的电阻率提高到10<'7>Ω·cm量级.对于ZnO Al<,2>O<,3>结构的SAW器件,随着薄膜厚度的减小,其机电耦合系数降低,但声表面波速率增加.