公开/公告号CN101853828B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-12-26
原文格式PDF
申请/专利权人 日月光半导体制造股份有限公司;
申请/专利号CN200910131145.4
发明设计人 杨国宾;
申请日2009-04-03
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人邱军
地址 中国台湾高雄市
入库时间 2022-08-23 09:12:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-12-26
授权
授权
2010-11-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/482 申请日:20090403
实质审查的生效
2010-10-06
公开
公开
机译: 通过使用引线键合技术制造晶片凸块的方法以及具有使用该晶片凸块的晶片凸块的晶片芯片规模封装结构
机译: 凸块电极,使用该凸块电极的半导体集成电路器件,具有该半导体集成电路器件的多芯片模块以及用于制造具有凸块电极的半导体器件的方法
机译: 化学镀装置,具有凸块的半导体晶片,具有凸块的半导体芯片,制造半导体晶片和半导体芯片的方法,半导体器件,电路板和电子设备