氟注入增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种氟注入增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件及其制作方法，主要解决现有同类器件在高场情况下可靠性差的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlN插入层(5)、AlGaN势垒层(6)、GaN盖帽层(7)和源、栅、漏电极，这三个电极之间设有SiN钝化层(8)，其中GaN缓冲层中设有氟离子注入区域(4)，该区域位于栅电极下的对应位置，且注有浓度为1×1011cm‑3～1×1014cm‑3、深度为5～200nm的氟离子，用以耗尽器件导电沟道内的二维电子气。本发明器件大幅减小了氟离子发生退化的几率，提高了器件的可靠性，可用于微波电路。