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至部分填充的沟槽的通孔互连件

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摘要

一种方法包括：形成部分地填充有第一金属材料的沟槽，在第一层间介电(ILD)层内形成沟槽；用牺牲材料填充沟槽的剩余部分；在第一ILD层上沉积缓冲层；图案化缓冲层以在缓冲层内形成孔，从而暴露牺牲材料；以及去除牺牲材料。本发明实施例涉及至部分填充的沟槽的通孔互连件。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-07-05

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/768 申请公布日:20170808 申请日:20161021

发明专利申请公布后的视为撤回
2017-08-08

公开

公开

1. 至部分填充的沟槽的通孔互连件 [P] . 中国专利： CN107026115A . 2017-08-08
2. 形成互连沟槽以及通孔的方法及形成互连结构的方法 [P] . 中国专利： CN102446815A . 2012-05-09
3. Via-first interconnection process using gap-fill during trench formation [P] . 美国专利： US7704870B2 . 2010-04-27

机译：在沟槽形成过程中使用间隙填充的先通孔互连工艺
4. Copper interconnect structure has conductor whose top surface is lower than top surface of dielectric layer, and filled via or trench [P] . 法国专利： FR2890238A1 . 2007-03-02

机译：铜互连结构具有导体，该导体的顶表面低于电介质层的顶表面，并填充有通孔或沟槽
5. Single-piece seal element for use between e.g. roof rail and roof part of roof of passenger car, has through-holes formed for screws that limit sealing parts connected with each other by connecting part [P] . 德国专利： DE102011109622A1 . 2013-02-07

机译：单件式密封元件，用于例如车顶轨道和乘用车车顶的屋顶部分，形成有用于螺钉的通孔，该螺钉限制了通过连接部分相互连接的密封部分