55nm金属沟槽通孔一体化刻蚀关键尺寸偏差与图形相关性研究

摘要

随着超大规模集成电路(VLSl)的特征尺寸不断缩小,在后段铜互联工艺中,为降低接触电阻(RC)延迟的影响,后段集成普遍采用低介电常数材料的双大马士革互连工艺.其中金属硬质掩模一体化刻蚀工艺是迄今为止最为先进的工艺,即能解决传统工艺中所固有的低介电层顶部圆滑化,沟槽间的低介电层厚度变薄,又能解决侧壁角度变小等问题.但是金属阻挡层的引入以及金属沟槽和通孔同时刻蚀的进行,使得产生的聚合物更加复杂,金属互联沟槽关键尺寸受到影响更大.通过收集量产数据,对量产品的关键尺寸偏差和产品图形属性相关性进行分析,得到了刻蚀后关键尺寸和沟槽长度正相关性的创新性结论,可以帮助我们有效地预判新产品的关键尺寸大小,从而提前做出对应调整.