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机译:用于III-V半导体器件中金属接触的自对准通孔和沟槽
Intel Corp, Santa Clara, CA 95052 USA;
Bilkent Univ, Dept Phys, Nanotechnol Res Ctr, TR-06800 Ankara, Turkey;
Bilkent Univ, Dept Elect & Elect Engn, TR-06800 Ankara, Turkey;
Stanford Univ, Edward L Ginzton Lab, Stanford, CA 94305 USA;
INTEGRATED PHOTONIC SWITCHES; WAVELENGTH CONVERSION;
机译:与III-V半导体欧姆接触的铂金属
机译:在刚性和柔性衬底上的自对准超高频III-V金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管中自对准和非自对准接触金属化的仿真研究
机译:III-V MOSFET:栅极堆叠的表面钝化,源/漏极和沟道应变工程,自对准接触金属化
机译:III-V半导体处理:触点,蚀刻和器件。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:用于III-V半导体器件中金属接触的自对准通孔和沟槽
机译:在刚性和柔性基板上的自对准,极高频III-V金属氧化物半导体场效应晶体管。