法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-25
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/778 申请公布日:20161123 申请日:20150417
发明专利申请公布后的视为撤回
2018-04-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20150417
实质审查的生效
2016-11-23
公开
公开
机译: 制造具有应变沟道层以提高电子和空穴迁移率以改善器件性能的晶片的方法
机译: 通过在沟道区中产生应变而提高载流子迁移率的半导体器件及其制造方法
机译: 制造具有应变沟道层以提高电子和空穴迁移率以改善器件性能的晶片的方法