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一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构

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针对N+掺杂区设计了一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构,新结构中源极N+掺杂区为梯形结构.该结构减小了元胞的尺寸,提高了单位面积的元胞数量,从而提高了单位面积的电流密度,减小了VDMOS器件的封装尺寸.

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来源
《黑龙江科技信息》|2016年第22期|204|共1页
作者
刘文辉;
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作者单位

西安卫光科技有限公司,陕西西安710065;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
VDMOS器件; 元胞尺寸; 导通电阻;

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