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解决半导体测试失败的半导体结构以及半导体测试方法

摘要

本发明提供了一种解决半导体测试失败的半导体结构以及半导体测试方法。根据本发明的用于解决由于钝化层裂缝而导致半导体测试失败的半导体结构包括:布置在晶圆的金属层、布置在金属层上的钝化层、在钝化层的顶部和侧壁上形成的聚酰胺层、覆盖金属层的一部分并且覆盖聚酰胺层的至少一部分的中间层、以及布置在中间层上连接层。

著录项

  • 公开/公告号CN105977177A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201610307798.3

  • 发明设计人 王鹏;刘宇;李秀莹;

    申请日2016-05-11

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2023-06-19 00:34:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-10

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/66 申请公布日:20160928 申请日:20160511

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-10-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20160511

    实质审查的生效

  • 2016-09-28

    公开

    公开

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