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具有硅-锗量子阱的高迁移率PMOS及NMOS装置

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摘要

本发明涉及一种具有硅-锗量子阱的高迁移率PMOS及NMOS装置。其中这里所披露的至少一种方法、装置以及系统涉及半导体基础结构，用以接受NMOS装置及PMOS装置的至少其中之一。形成衬底。在该衬底上形成应变松弛层。在该应变松弛层上形成第一拉伸应变层。在该第一拉伸应变层上形成第一压缩应变层。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-08-20

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20160427 申请日:20151021

发明专利申请公布后的视为撤回
2016-05-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20151021

实质审查的生效
2016-04-27

公开

公开

1. 具有硅-锗量子阱的高迁移率PMOS及NMOS装置 [P] . 中国专利： CN105529271A . 2016-04-27
2. NMOS晶体管具有凹陷的漏极与源极区而PMOS晶体管的漏极与源极区具有硅/锗材料的CMOS器件 [P] . 中国专利： CN101971325A . 2011-02-09
3. CMOS DEVICE COMPRISING AN NMOS TRANSISTOR WITH RECESSED DRAIN AND SOURCE AREAS AND A PMOS TRANSISTOR HAVING A SILICON/GERMANIUM MATERIAL IN THE DRAIN AND SOURCE AREAS [P] . IN2010CN05207A . 2011-03-18

机译： CMOS设备，包括一个NMOS晶体管和一个漏极/源极区，该NMOS晶体管具有重复的漏极和源极区，而PMOS晶体管则具有一个硅/锗材料
4. CMOS DEVICE COMPRISING AN NMOS TRANSISTOR WITH RECESSED DRAIN AND SOURCE AREAS AND A PMOS TRANSISTOR HAVING A SILICON/GERMANIUM MATERIAL IN THE DRAIN AND SOURCE AREAS [P] . 美国专利： US2009218633A1 . 2009-09-03

机译： CMOS设备，包括一个NMOS晶体管和一个漏极/源极区，该NMOS晶体管具有重复的漏极和源极区，而PMOS晶体管则具有一个硅/锗材料
5. High mobility PMOS and NMOS devices having Si—Ge quantum wells [P] . 美国专利： US9406799B2 . 2016-08-02

机译：具有Si-Ge量子阱的高迁移率PMOS和NMOS器件