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一种RF MEMS开关硅梁结构

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摘要

一种RF MEMS开关硅梁结构，包括上电极、锚点，其特征在于：所述上电极和锚点采用两对对称Z形梁连接。本发明通过选取合理结构的硅梁结构，有效降低其谐振频率和阈值电压，开关响应时间短、易集成。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-09-15

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01H59/00 申请公布日:20150715 申请日:20150327

发明专利申请公布后的驳回
2015-08-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01H59/00 申请日:20150327

实质审查的生效
2015-07-15

公开

公开

1. 一种RF MEMS开关硅梁结构 [P] . 中国专利： CN104779122A . 2015-07-15
2. RF MEMS开关硅梁结构 [P] . 中国专利： CN104779121A . 2015-07-15
3. a polykondensat configurations, with at least one polyurethane and / or polyharnstoffeinheit and silicon with at least one carboxyfunktion included. [P] . AT293427T . 2005-05-15

机译：一种包含至少一种聚氨酯和/或聚harffestoffeinheit和硅以及至少一种羧基官能团的聚醚酮构型。
4. a polykondensat configurations, with at least one polyurethane and / or polyharnstoffeinheit and silicon with at least one carboxyfunktion included. [P] . 德国专利： DE69924829D1 . 2005-05-25

机译：一种包含至少一种聚氨酯和/或聚harffestoffeinheit和硅以及至少一种羧基官能团的聚醚酮构型。
5. Thin Polysilicon For Lower Off-Capacitance Of A Radio Frequency (RF) Silicon-On-Insulator (SOI) Switch Field Effect Transistor (FET) [P] . 美国专利： US2018269230A1 . 2018-09-20

机译：薄多晶硅，用于降低射频（RF）绝缘硅上的SOA开关场效应晶体管（FET）的失电容