公开/公告号CN104779121A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-07-15
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州锟恩电子科技有限公司;
申请/专利号CN201510138222.4
发明设计人 杨俊民;
申请日2015-03-27
分类号
代理机构南京纵横知识产权代理有限公司;
代理人董建林
地址 215153 江苏省苏州市高新区通安镇华金路255-7号
入库时间 2023-12-18 09:52:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-08
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01H59/00 申请公布日:20150715 申请日:20150327
发明专利申请公布后的驳回
2015-08-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01H59/00 申请日:20150327
实质审查的生效
2015-07-15
公开
公开
机译: 薄多晶硅,用于降低射频(RF)绝缘硅上的SOA开关场效应晶体管(FET)的失电容
机译: 包括多个晶体管的串联连接的RF开关电路,包括RF开关电路的RF开关以及用于切换RF信号的方法
机译: 包括多个晶体管的串联连接的RF开关电路,包括RF开关电路的RF开关以及用于切换RF信号的方法